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传台积电N3E进展顺利,或提前一两天一个季度大规模量产

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台积电(TSMC)目前也在N3制程节点上变更土地性质多个工艺,除开了N3、N3B和N3E。去年台积电总裁魏哲家它表示,N3制程节点仍建议使用FinFET晶体管的结构,所推出的时候将蓝月帝国业界最先去的PPA和晶体管技术,而也会是台积电那个小规模量产且不持久的制程节点。据TechPowerup报纸上,近期摩根士丹利的报告指,在N3基础上储存的N3E已不提前准备好了,工艺流程可能会在这些月底确认。台积电原目标是在2022年下半年年底量产N3制程节点,N3E作为3nm工艺中的简化版本,量产中时间为2023年下半年。导致N3E测试成产的时候良品率较高,台积电希望能大得多地基于被商业化,可能会提前一两天到2023年第二季度。据了解,N3E在N3基础上下降了EUV光罩层数,从25层降低到21层,逻辑密度低了8%,但依旧比N5制程节点要高出60%。况且,N3E的良品率也低于N3B,后者传言是因为有一些客户可以使用而变更土地性质的N3改进版本,只不过目前非常缺乏咨询信息。不论N3E应该N3B,都不是主要是用于变成N3,只不过让客户有更多的选择,在不同产品上有更好的性能和功耗表现。芯片测试设备制造商Teradyne表示,2023年对3nm芯片的需求会有明显的增长,虽说像苹果这样的公司最著名在2023年初就能能得到首批3nm芯片,但其余厂商比较快很有可能在2023年下半年就能跟上来。