三星将于下周展示全球首款3nm芯片
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在几周前宣布开始生产3nm环形栅极晶体管后，这家韩国电子巨头将于下周展示其首款GAA芯片。与目前的5nm工艺相比，3nm GAA在缩小尺寸的同时提供更低的功耗和更高的性能，未来的旗舰设备如Galaxy S有望从中受益。竞争对手台积电本月也开始生产3nm FinFET，但GAA芯片要到2025年才会上市。
目前尚不清楚三星的3nm GAA将从台积电获得多少客户，但从纸面参数来看，5nm工艺的升级迭代仍然相当光明。在移动设备中，环形栅极晶体管可显著提高能效和尺寸缩进，从而延长电池寿命。此外，GAA的设计灵活性对于提高设计技术的协同优化（DTCO）、功率、性能和面积（PPA）优势非常有用。具体来说，早期的3nm工艺比5nm工艺节省了45%的能源，性能提高了23%，芯片面积减少了16%。第二代3nm工艺有望将功耗降低50%，性能提高30%，芯片面积减少35%。
虽然三星电子一直在努力提高其3nm芯片的产能以实现盈利，但三星电子对台积电来说面临着迫在眉睫的挑战。目前，苹果iPhone、iPad和Mac设备中使用的所有A / M系列芯片都委托给台积电。更尴尬的是，即使是高通Snapdragon8Gen1升级（Snapdragon8+ Gen1），在2022年下半年得到众多Android旗舰智能手机支持，也从三星转向台积电代工厂。三星最初计划在Galaxy S22上使用自主开发的旗舰芯片，但不幸的是，它遇到了过热的问题，最终设法通过节流来缓解性能体验。目前还不清楚是否有基于3nm GAA环形门晶体管技术的未来新计划。最后，根据韩国的报道，三星计划在7月25日推出首款3nm芯片。然而，第一个买家是加密货币矿业公司，而这些客户显然正在努力让三星从台积电获得更多业务。（来源：Global Network）