终结FinFET晶体管!台积电正式公布2nm：功耗降低30％
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6月17日上午消息，台积电在今天举行的2022技术论坛上首次公布了下一代先进工艺N2，即2nm。在技术指标方面，台积电对N2和N3进行了比较，在相同功耗下，公布了10-15%的速度块。同样的速度可降低25-30%的功耗，开启高性能新时代。在垂直比较中，从2nm到3nm的改进似乎并不比3nm高5nm，包括但不限于性能、功耗、密度和所有其他核心参数。
在微观结构上，N2使用纳米片晶体管（Nanosheet）取代FinFET（鳍场效应晶体管），一般认为纳米片晶体管是台积电的GAAFET（环绕门晶体管）版本。TSMC还表示，N2不仅有面向移动处理器的标准程序，还有面向高性能计算和小型芯片（Chiplet）的统合方案。
从时间上看，N2将在2025年投入批量生产。此外，根据台积电最新的技术路线图，第一代3nm（N3）将在下半年量产，3nm将紧随其后的是N3E、N3P和N3X，寿命相对较长。
（图片来源：Drive House）