全球第一家!台积电官宣2nm工艺：2024年投产

近年来，摩尔定律已经基本失效，或者越来越慢，但在半导体工艺领域，一些巨头正在崛起。英特尔终于进入了10nm工艺时代，明年将转向7nm，而台积电和三星已经完成了7nm工艺的布局，正朝着5nm和3nm迈进。现在台积电正式开始2nm工艺的研发，工厂已安装在台湾新竹南方科技园区，预计在2024年投入生产，时间步伐还相当快。

根据台积电的指标，2nm工艺是一个关键节点，Metal Track（金属单元高度）保持在与3nm相同的5倍，Gate Pitch（晶体管栅极间距）降低到30nm，Metal Pitch（金属间距）降低到20nm，比3nm小23%。台积电没有公开2nm工艺所需的技术和材料，再看一下晶体管结构图，目前还没有明显的变化，在硅半导体工艺中能够继续以这种方式压制，真是个奇迹，接下来就让我们来看看1nm是否能做到。

当然，在此之前，台积电还需要连续通过多个工艺节点，如7nm+、6nm、5nm、3nm等。其中，EUV极紫外光刻技术在7nm+首次被引入，并已进入批量生产。6nm只是7nm的升级版本，将于明年第一季度进行试运行生产。5nm将全面引入极紫外光刻技术，并开始高风险的试生产，预计将于明年年底量产，届时Apple A14和AMD第五代Ry Dragon（Zen4）将采用。3nm将于2021年试生产，2022年量产。三星已经计划了3nm，并计划在2021年进行大规模生产。

[来源：高速技术作者：上文Q]